W3131/W3131B/W3130系列带12 位ADC、8 位单片机

1.单片机特点

1.1. 系列特点

 W3131  系列：

高抗干扰（High EFT）系列

工作温度范围：-40°C ~ 85°C

W3131B, W3130  系列：

通用系列

请勿使用于AC 阻容降压供电，强电源纹波，或高 EFT 要求之应用

工作温度范围：-20°C ~ 70°C

1.2. 系统功能

时钟源：内部高频RC 振荡器（IHRC）、内部低频RC 振荡器（ILRC）、外部晶振

内置Band-gap 硬件模块输出1.20V 参考电压

内置一个硬件16 位计数器

内置两个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出

内置一个12 通道12 位分辨率A/D 转换器

提供ADC 参考高电压: 外部输入, 内部VDD, Band-gap 1.20V, 4V, 3V, 2V

提供单周期（1T）8x8 硬件乘法器

提供快速唤醒模式

8段 LVR设定~ 4.1V, 3.6V, 3.1V, 2.8V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V

14个 IO引脚

四个可选择的外部中断引脚

每一IO 引脚都可以单独设置系统唤醒功能

工作电压：2.2V ~ 5.5V

工作频率与电压（晶体模式与IHRC 内部高频RC 振荡器模式相同）

DC ~ 8MHz@VDD≧3.1VDC ~ 4MHz@VDD≧2.5V

DC ~ 2MHz@VDD≧2.2V

低功耗特性：

Ioperating ~ 1.7mA@1MIPS, VDD=5.0V;Ioperating ~ 15uA@VDD=3.3V, ILRC@ 21kHz

Ipowerdown ~ 2uA@VDD=5.0V;Ipowerdown ~ 1uA@VDD=3.3V

1.3. 高性能RISC CPU 架构

工作模式：单一处理单元运作模式

1.5K OTP程序存储器

88 Bytes数据存储器

提供86 条指令

大部份指令都是单周期（1T）指令

弹性化的堆栈深度，可程序设定

提供数据与指令的直接、间接寻址模式